دار الكتب الوطنية - مكتبة اليافعين - Elaboration des diodes tunnel GaAs par épitaxie en phase V Apeur par décomposition d'organométalliques

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Elaboration des diodes tunnel GaAs par épitaxie en phase V Apeur par décomposition d'organométalliques

Etude et rapport

Ben Naceur, Raouf. 305 | Mejjati, Mohamed. 727

Edité par Fac. des sc. Tunis - 1998

الملاحظات

Bibliogr. p. 143-145

اطروحة بحث

Th. Physique des solides : Tunis, Fac. des sc. : 1998

نوع الوثيقة: THES
الوصف المادي: 145 ; Fig., Tabl ; 29 cm

تاريخ النشر: 1998

رمز الترفيف

E-4-56015

القسم

Aucune valeur

المواضيع

Tunnels -- Epitaxie

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